Главная | E-mail | 18.04.2024 | ||
Главная страница | О журнале | Авторам | Редколлегия | Контакты | ||
Научно-технический интернет-журнал Свидетельство о регистрации Эл № ФС 77-31314 |
|
Новости отрасли
Дата : 29 августа 2013 года | просмотров: 250
На недавно прошедшем мероприятии Flash Memory Summit 2013 компания Sony рассказала о своих планах коммерциализации разработок в области резистивной памяти с произвольным доступом (ReRAM). Работы в этом направлении японский производитель ведет в сотрудничестве с Micron Technology.
В настоящее время Sony позиционирует ReRAM в качестве «памяти для устройств хранения» (storage-class memory, SCM), которая не заменит флэш-память NAND, а заполнит нишу между ней и памятью DRAM. Упор будет сделан на уменьшение объема памяти DRAM, используемой в крупномасштабных корпоративных хранилищах на базе NAND, а также на использовании ReRAM в потребительской электронике, включая смартфоны и планшеты. Отметим, что для работы с ReRAM требуются собственные контроллеры.
|
|