Интернет-журнал ТелеФото Техника
          Главная    |    E-mail    |    06.08.2020      
Главная страница   |   О журнале   |   Новости   |   Авторам   |   Контакты            
Научно-технический интернет-журнал        Свидетельство о регистрации Эл № ФС 77-31314      

   


 

Рейтинг@Mail.ru
ЭВС-комплексные системы безопасности. Разработка и производство ТВ камер. Мегапиксельные телевизионные камеры с интерфейсом USB 2.0. Цифровые системы видеонаблюдения. Оборудование для банков и экспертно-криминалистические комплексы. Системы доступа. Тест-драйв. Форум.

 

Новости отрасли
На главную / Все новости / Все новости раздела

Дата   :   29 августа 2013 года  |  Для печати  |  просмотров: 750

Sony планирует освоить выпуск микросхем памяти ReRAM плотностью 16 Гбит в 2015 году

На недавно прошедшем мероприятии Flash Memory Summit 2013 компания Sony рассказала о своих планах коммерциализации разработок в области резистивной памяти с произвольным доступом (ReRAM). Работы в этом направлении японский производитель ведет в сотрудничестве с Micron Technology.




В настоящее время Sony позиционирует ReRAM в качестве «памяти для устройств хранения» (storage-class memory, SCM), которая не заменит флэш-память NAND, а заполнит нишу между ней и памятью DRAM. Упор будет сделан на уменьшение объема памяти DRAM, используемой в крупномасштабных корпоративных хранилищах на базе NAND, а также на использовании ReRAM в потребительской электронике, включая смартфоны и планшеты. Отметим, что для работы с ReRAM требуются собственные контроллеры.

 
<< Предыдущая новостьСледующая новость >>