Теле Фото Техника : Sony планирует освоить выпуск микросхем памяти ReRAM плотностью 16 Гбит в 2015 году

Новости отрасли

На главную / Все новости / Все новости раздела

Дата : 29 августа 2013 года | просмотров: 250

Sony планирует освоить выпуск микросхем памяти ReRAM плотностью 16 Гбит в 2015 году

На недавно прошедшем мероприятии Flash Memory Summit 2013 компания Sony рассказала о своих планах коммерциализации разработок в области резистивной памяти с произвольным доступом (ReRAM). Работы в этом направлении японский производитель ведет в сотрудничестве с Micron Technology.

В настоящее время Sony позиционирует ReRAM в качестве «памяти для устройств хранения» (storage-class memory, SCM), которая не заменит флэш-память NAND, а заполнит нишу между ней и памятью DRAM. Упор будет сделан на уменьшение объема памяти DRAM, используемой в крупномасштабных корпоративных хранилищах на базе NAND, а также на использовании ReRAM в потребительской электронике, включая смартфоны и планшеты. Отметим, что для работы с ReRAM требуются собственные контроллеры.

На главную / Все новости / Все новости раздела

		Главная \| E-mail \| 18.04.2024

	Главная страница \| О журнале \| Авторам \| Редколлегия \| Контакты

	Научно-технический интернет-журнал Свидетельство о регистрации Эл № ФС 77-31314