Главная | E-mail | 19.04.2024 | ||
Главная страница | О журнале | Авторам | Редколлегия | Контакты | ||
Научно-технический интернет-журнал Свидетельство о регистрации Эл № ФС 77-31314 |
|
Новости отрасли
Дата : 17 октября 2014 года | просмотров: 221
Компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного производства первой в отрасли флеш-памяти типа NAND, имеющей вертикальную объемную компоновку (3D V-NAND), и способную хранить в одной ячейке три бита данных. Эта флеш-память предназначена для применения в твердотельных накопителях.
Подобная структура позволяет значительно повысить эффективность производства: более чем вдвое в расчете на одну пластину по сравнению с традиционной планарной трехбитной памятью, производимой Samsung по технологии т.н. 10-нм класса. Память V-NAND первого поколения (включающую 24 слоя) компания Samsung представила в августе прошлого года, а второго поколения (включающую 32 слоя) – в мае 2014 г. Производство новой памяти будет способствовать дальнейшему продвижению SSD на рынке потребительских ПК, сообщают в компании. www.russianelectronics.ru/leader-r/news/9318/doc/70432/
|
|