Главная | E-mail | 29.03.2024 | ||
Главная страница | О журнале | Авторам | Редколлегия | Контакты | ||
Научно-технический интернет-журнал Свидетельство о регистрации Эл № ФС 77-31314 |
|
Новости отрасли
Дата : 25 августа 2010 года | просмотров: 222
Компания Hynix Semiconductor объявила о начале массового производства флэш-памяти типа NAND плотностью 64 Гбит, соблюдая нормы 20-нанометрового класса. По словам производителя, переход на новый техпроцесс обеспечивает прирост производительности на 60% и позволяет выпускать более ёмкую и дешёвую флэш-память для мобильных устройств.
Результатом сотрудничества с израильскими коллегами станут решения, в которых сочетаются чипы памяти Hynix и контроллеры Anobit. На данный момент разработки ведутся с применением флэш-памяти 30-нанометрового класса, но уже в сентябре станут доступны чипы NAND нового поколения, претендующие на основу для быстрых твердотельных накопителей.
Выпускаться изделия будут на фабрике Hynix в южнокорейском городе Чхонджу. Ожидается, что первые продукты, использующие 20-нм память, появятся в продаже до конца текущего года. www.ixbt.com/news/hard/archive.shtml?2010/0810
|
|