Интернет-журнал ТелеФото Техника           Главная    |    E-mail    |    20.04.2024      
Главная страница   |   О журнале   |   Авторам   |   Редколлегия   |   Контакты            

Научно-технический интернет-журнал        Свидетельство о регистрации Эл № ФС 77-31314      


   


 

Новости отрасли
На главную / Все новости / Все новости раздела

Дата   :   30 сентября 2010 года  |  просмотров: 222

Созданы логические схемы, работающие при +500 С

Замена существующих полупроводников из оксидов металлов на полевые транзисторы из карбида кремния - очень перспективная технология, которая позволит создать приборы с низким энергопотреблением и высокой производительностью при температурах выше +300 C. В настоящее время работа обычной кремниевой электроники при таких температурах невозможна. Также НЭМС имеют практически нулевую проводимость в закрытом состоянии, могут работать на высоких частотах, в условиях мощного радиационного воздействия, что обещает большие перспективы в космической технике.




Команда ученых создала НЭМС, покрыв кремниевую пластину тонким слоем оксида кремния, а затем слоем карбида кремния толщиной 400 нм. С помощью литографии электронным пучком «нарисовали» простой выключатель, состоящий из двух электродов из карбида кремния (затвор и сток), которые помещаются над консольной балкой (исток). Переключатель извлекается из кремниевой пластины с помощью химического травления оксида кремния.

При подаче напряжения между затвором и истоком электростатические силы тянут балку, и она контактирует со стоком (но не с затвором). Это позволяет току течь между истоком и стоком, что превращает устройство в полевой транзистор. Исследователи уже создали устройство, работающее при +500 С на частоте 500 кГц и с входным напряжением ±6 В. При комнатной температуре переключатель отработал до поломки консольной балки около 21 млрд циклов, а при +500 С - около 2 млрд циклов.

В настоящее время исследователи работают над уменьшением напряжения, повышением точности изготовления - для уменьшения изгиба балки. Это значительно повысит надежность и срок службы переключателя. В конечно счете эти и другие усовершенствования позволят создать устройства с триллионом циклов на скорости в гигагерцы, что превышает быстроту и долговечность обычных микроконтроллеров.

www.russianelectronics.ru/developer-r/news/9318/doc/52675/